SIC มอสเฟต

ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามซิลิคอนคาร์ไบด์- / ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนาม SiC (SiC MOS)

พิมพ์

Vดีเอส

อาร์ดีเอส(บน)

ID

Vไทย

Vไทย

อ

ทางแยกปฏิบัติการ
อุณหภูมิ

บรรจุุภัณฑ์

V

โมฮม

TJ=25ระดับ

TJ=25ระดับ

TJ=175ระดับ

NC

ระดับ

RTSH/K0406SM1

650

40

72

3.2

2.2

110.8

-55 องศาถึง 175 องศา

TO247-3/4

RTSH/K0606SM1

650

60

50

2.8

2.1

69.5

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSK0406SM1Z

650

40

72

3.2

2.2

110.8

-55 องศาถึง 175 องศา

TO247-4

RTSK0606SM1Z

650

60

50

2.8

2.1

69.5

-55 องศาถึง 175 องศา

RTST04065M1

650

40

63.5

3.2

2.2

110.8

-55 องศาถึง 175 องศา

ค่าผ่านทาง

RTST06065M1

650

60

46

2.8

2.1

69.5

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSB06065M1

650

60

50

2.8

2.1

69.5

-55 องศาถึง 175 องศา

TO263-7

RTSH/K050120M1

1200

50

58

3.2

2.2

120

-55 องศาถึง 175 องศา

TO247-3/4

RTSH/K080120M1

1200

80

38

3.6

1.8

39

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSH/K080120M1Z

1200

80

42

3.6

2.7

76

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSH/K160120M1

1200

160

19

2.9

1.9

43

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSH/P750120M1

1200

750

6.4

4.3

3.3

15.8

-55 องศาถึง 175 องศา

TO247-3/
TO220-3

RTSK015120M1

1200

15

117

4

2

222

-55 องศาถึง 175 องศา

TO247-4

RTSK020120M1

1200

20

119

4

1.8

216

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSK032120M1

1200

32

75

4

2.2

112

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSK050120M1

1200

40

68

4

2.2

112

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSB050120M1

1200

50

58

3.2

2.2

120

-55 องศาถึง 175 องศา

TO263-7

RTSB080120M1Z

1200

85

42

3.6

2.7

76

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSB160120M1Z

1200

160

20

3.6

1.9

43

-55 องศาถึง 175 องศา

RTSK045170M1

1700

45

72

4

2

185

-55 องศาถึง 175 องศา

TO247-4

RTSK100170M1

1700

1000

6.7

4.5

1.8

16.5

-55 องศาถึง 175 องศา